美国俄克拉荷马大学研发出带间级联砷简化铟（InAs）衬底激光器，具备较低阈值低电流运营特征。研究人员声称，温度300K阈值电流为247A/cm2的4.6m波长器件是有史以来某种程度波长阈值电流低于的半导体中红外激光器。　　锑化镓（GaSb）衬底带间级联激光器在3-4m波长范围内获得较好效益。

InAs衬底激光器波长为11m。这些激光器用于轻掺入外覆层创立一个等离子体波导。然而这种激光器至今只检验了脉冲操作者模式。研究人员称之为，奥克拉荷马大学第一次建构出有连续波工作模式。

　　使用n+-InAs覆层等离子体波导的问题是低光吸收损失。一些小组企图在光学容许成本内放入薄（＞1m）无掺入的InAs分开容许层来减少光学增益，减少电流阈值。为了尝试取得最差的两种方法，奥克拉荷马大学早已在等离子体外覆层和独立国家约束层之间放入一个中间层。中间覆层将光场引到器件中心部分，并增加外部等离子体覆层中的电场，防止吸取损耗。

　　使用分子束外延（MBE）在n型InAs衬底上制取半导体激光器异质结构。独立国家的约束层和中间覆层平面产于在基于多个级联的有源区域附近。中间覆层还包括25A/23AInAs/AlSb超强晶格结构。锑化铝（AlSb）的3A厚度层是砷化铝(AlAs)的界面用于形变均衡。

载流子在中间覆层和激光器的其他部分之间平滑传输，其他部分由过渡性/相连桥构成，相连桥由58nm长InAs/AlSb(As)量子阱包含。　　各种长面积的台面条纹和较宽脊半导体激光器由露出的晶面生产制取。1.5-2.0mm激光棒外侧配备铜热沉。与无中间覆层半导体激光器比起，有中间覆层大面积（BA）激光器脉冲操作者模式时具备高于300K的阈值电流密度和较高的操作温度。

　　研究人员报告，一个15级晶片大面积激光器R140的阈值电流密度Jth=247A/cm2，在温度300K波长为4.6m，是中红外半导体激光器同类波长的低于阈值报导。另一个10级晶片R144在温度高达377K升空激光，波长近5.1m。是此波长电泵浦带间激光器的最低工作温度报导。

本文来源：米6体育官网app下载手机端-www.dhydqc.com